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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.568915
10
¥8.083885
100
¥7.626307
500
¥7.194628
1000
¥6.787383
Diodes Incorporated MJD32CQ-13
- 收藏
- 对比
MJD32CQ-13
671-MJD32CQ-13
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

Trans GP BJT PNP 100V 3A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MJD32CQ-13详情
Diodes Incorporated MJD32CQ-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
15W
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
3MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE
功率耗散
15W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
1.2V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10 @ 3A 4V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.2V @ 375mA, 3A
转换频率
3MHz
最大击穿电压
100V
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MJD32CQ-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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