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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 MMBT123S-7
MMBT123S-7
MMBT123S-7

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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Diodes Incorporated MMBT123S-7

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  • 对比

型号

MMBT123S-7

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-MMBT123S-7

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

SOT-23

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT 18V 300mW

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MMBT123S-7
MMBT123S-7 Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT 18V 300mW

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MMBT123S-7详情

技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated MMBT123S-7重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    SOT-23

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • 质量

    7.994566mg

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    18V

  • hFEMin

    150

  • Number of Elements

    1

  • 已出版

    2005

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e0

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn85Pb15)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 电压 - 额定直流

    18V

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    235

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 额定电流

    1A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    3

  • 资历状况

    不合格

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    100MHz

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    500mV

  • 最大集电极电流

    1A

  • 转换频率

    100MHz

  • 最大击穿电压

    18V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    45V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 最小直流增益（hFE）

    150

  • 连续集电极电流

    1A

  • 宽度

    1.4mm

  • 长度

    3.05mm

  • 高度

    1mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

技术文档: Diodes Incorporated MMBT123S-7.

右边的3个型号有着和Diodes Incorporated & MMBT123S-7相似的参数规格。

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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