Diodes Incorporated MMBT3906LP-7

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

MMBT3906LP-7

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-400mV

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2012

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

250mW

端子位置

BOTTOM

基本部件号

MMBT3906

引脚数量

3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

250mW

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 1V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA

转换频率

300MHz

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-200mA

VCEsat-最大值

0.4 V

接通时间-最大值(ton)

70ns

集电极-基极电容-最大值

4.5pF

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant