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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.465911
10
¥0.439538
100
¥0.414659
500
¥0.391188
1000
¥0.369045
Diodes Incorporated MMBT3906LP-7B
- 收藏
- 对比
MMBT3906LP-7B
671-MMBT3906LP-7B
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-UFDFN
大陆
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Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MMBT3906LP-7B详情
Diodes Incorporated MMBT3906LP-7B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
包装/外壳
3-UFDFN
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
100
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2012
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
250mW
端子位置
BOTTOM
基本部件号
MMBT3906
引脚数量
3
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
250mW
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
400mV
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 1V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 5mA, 50mA
转换频率
300MHz
最大击穿电压
40V
频率转换
300MHz
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
连续集电极电流
-200mA
VCEsat-最大值
0.4 V
接通时间-最大值(ton)
70ns
集电极-基极电容-最大值
4.5pF
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMBT3906LP-7B拓展信息
Diodes Incorporated
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