Diodes Incorporated MMBT4126-7-F

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-400mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

250MHz

Power Dissipation (Max)

300mW

Number of Elements

1

hFEMin

120

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-25V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-200mA

频率

250MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MMBT4126

元素配置

Single

功率耗散

300mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 2mA 1V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

25V

集电极基极电压(VCBO)

25V

发射极基极电压 (VEBO)

-4V

连续集电极电流

-200mA

高度

1mm

长度

3.05mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅