Diodes Incorporated MMBT5551Q-7
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MMBT5551Q-7
671-MMBT5551Q-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T
1最小包装量--
MMBT5551Q-7详情
Diodes Incorporated MMBT5551Q-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SOT-23-3
厂商
Diodes Incorporated
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
600 mA
Transistor Polarity
NPN
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Manufacturer
Diodes Incorporated
Brand
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装
MouseReel
子类别
Transistors
功率耗散
300
功率 - 最大
300 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
最大集极截止电流
50nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
200mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
160 V
转换频率
300
频率转换
300MHz
连续集电极电流
600
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
MMBT5551Q-7拓展信息
Diodes Incorporated
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