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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 MMBT5551Q-7
MMBT5551Q-7
MMBT5551Q-7

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Diodes Incorporated MMBT5551Q-7

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型号

MMBT5551Q-7

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-MMBT5551Q-7

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T

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MMBT5551Q-7
MMBT5551Q-7 Diodes Incorporated SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T

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MMBT5551Q-7详情

技术参数

Diodes Incorporated MMBT5551Q-7重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 供应商器件包装

    SOT-23-3

  • 厂商

    Diodes Incorporated

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    600 mA

  • Transistor Polarity

    NPN

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Manufacturer

    Diodes Incorporated

  • Brand

    Diodes Incorporated

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 包装

    MouseReel

  • 子类别

    Transistors

  • 功率耗散

    300

  • 功率 - 最大

    300 mW

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    80 @ 10mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    50nA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    200mV @ 5mA, 50mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    160 V

  • 转换频率

    300

  • 频率转换

    300MHz

  • 连续集电极电流

    600

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

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公司资质

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AS
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DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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