Diodes Incorporated MMBTA42-7-F
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MMBTA42-7-F
671-MMBTA42-7-F
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
--最小包装量--
MMBTA42-7-F详情
Diodes Incorporated MMBTA42-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
19 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
1
hFEMin
25
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
300V
最大功率耗散
300mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
200mA
频率
50MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBTA42
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
300mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
50MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
300V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 30mA 10V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 2mA, 20mA
转换频率
50MHz
最大击穿电压
300V
集电极基极电压(VCBO)
300V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
最大结点温度(Tj)
150°C
连续集电极电流
500mA
高度
1.1mm
长度
3.05mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMBTA42-7-F拓展信息
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