Diodes Incorporated MMBTH10-7
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MMBTH10-7
671-MMBTH10-7
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
SOT-23
大陆
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Bipolar Transistors - BJT 25V 300mW
1最小包装量--
MMBTH10-7详情
Diodes Incorporated MMBTH10-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
包装/外壳
SOT-23
引脚数
3
质量
7.994566mg
Number of Elements
1
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
25V
hFEMin
60
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2003
JESD-609代码
e0
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
25V
最大功率耗散
300mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
50mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
3
资历状况
不合格
极性
NPN
元素配置
Single
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
650MHz
集电极发射器电压(VCEO)
25V
最大集电极电流
50mA
转换频率
650MHz
最大击穿电压
25V
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
3V
连续集电极电流
50mA
最高频段
超高频B型
集电极-基极电容-最大值
0.7pF
长度
3.05mm
高度
1mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
MMBTH10-7拓展信息











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