Diodes Incorporated MMST5551-7-F

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-323

质量

6.010099mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

1

hFEMin

80

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

160V

最大功率耗散

200mW

额定电流

200mA

频率

300MHz

基本部件号

MMST5551

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

200mW

功率 - 最大

200mW

增益带宽积

300MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

160V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

160V

最高频率

300MHz

最大击穿电压

160V

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

180V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅