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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 MMST5551Q-7-F
MMST5551Q-7-F
MMST5551Q-7-F

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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Diodes Incorporated MMST5551Q-7-F

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型号

MMST5551Q-7-F

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-MMST5551Q-7-F

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT323

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MMST5551Q-7-F
MMST5551Q-7-F Diodes Incorporated SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT323

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MMST5551Q-7-F详情

技术参数

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Diodes Incorporated MMST5551Q-7-F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    200mA

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 配置

    SINGLE

  • 功率 - 最大

    200mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    80 @ 10mA 5V

  • 最大集极截止电流

    50nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    200mV @ 5mA, 50mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    160V

  • 转换频率

    100MHz

  • 频率转换

    300MHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: Diodes Incorporated MMST5551Q-7-F.

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
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选择时请仔细核对商品参数信息

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