Diodes Incorporated MMSTA55-7
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MMSTA55-7
671-MMSTA55-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-323
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Bipolar Transistors - BJT -60V 200mW
--最小包装量--
MMSTA55-7详情
Diodes Incorporated MMSTA55-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
SOT-323
引脚数
3
质量
6.010099mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-250mV
Number of Elements
1
hFEMin
100
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
Reach合规守则
unknown
额定电流
-500mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
3
资历状况
不合格
极性
PNP
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
50MHz
集电极发射器电压(VCEO)
250mV
最大集电极电流
500mA
转换频率
50MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
-60V
发射极基极电压 (VEBO)
-4V
最小直流增益(hFE)
100
连续集电极电流
-500mA
高度
1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
MMSTA55-7拓展信息
Diodes Incorporated
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