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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.157457
10
¥6.752318
100
¥6.370113
500
¥6.009542
1000
¥5.669375
Diodes Incorporated ZTX551STZ
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- 对比
ZTX551STZ
671-ZTX551STZ
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
E-Line-3, Formed Leads
大陆
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Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZTX551STZ详情
Diodes Incorporated ZTX551STZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
E-Line-3, Formed Leads
引脚数
3
质量
453.59237mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-350mV
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~200°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
已出版
2001
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
1W
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-1A
频率
150MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZTX551
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
1W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
150MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 150mA 10V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
350mV @ 15mA, 150mA
转换频率
150MHz
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
连续集电极电流
-1A
高度
4.01mm
长度
4.77mm
宽度
2.41mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZTX551STZ拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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