Diodes Incorporated ZTX605STOA

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

E-Line-3, Formed Leads

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~200°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8541.29.00.75

电压 - 额定直流

120V

最大功率耗散

1W

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZTX605

引脚数量

3

参考标准

CECC

JESD-30代码

R-PSIP-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1.5V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 1A 5V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1mA, 1A

转换频率

150MHz

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

140V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

连续集电极电流

1A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅