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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.265698
10
¥9.68462
100
¥9.136432
500
¥8.619276
1000
¥8.131398
Diodes Incorporated ZTX658
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- 对比
ZTX658
671-ZTX658
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
E-Line-3
大陆
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TRANS NPN 400V 0.5A E-LINE
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZTX658详情
Diodes Incorporated ZTX658重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
E-Line-3
引脚数
3
质量
453.59237mg
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
E-Line
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~200°C TJ
包装
Bulk
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
400V
最大功率耗散
1W
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
500mA
频率
50MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
1W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
50MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
400V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 100mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
JEDEC-95代码
TO-92
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 10mA, 100mA
转换频率
50MHz
集电极基极电压(VCBO)
400V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
500mA
高度
4.01mm
长度
4.77mm
宽度
2.41mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZTX658拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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