Diodes Incorporated ZTX869

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

E-Line-3

引脚数

3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

180mV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

1.2W

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

5A

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

1.2W

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 1A 1V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

220mV @ 100mA, 5A

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

5A

高度

4.01mm

长度

4.77mm

宽度

2.41mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅