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Diodes Incorporated ZXTDB2M832TC

Name: ZXTDB2M832TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 671-ZXTDB2M832TC
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

ZXTDB2M832TC

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-ZXTDB2M832TC

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Small Signal Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, 3 X 2 MM, MLP832, 10 PIN

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ZXTDB2M832TC Diodes Incorporated Description: Small Signal Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, 3 X 2 MM, MLP832, 10 PIN

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ZXTDB2M832TC详情

技术参数

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Diodes Incorporated ZXTDB2M832TC重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

10
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

DIODES INC
Package Description

FLATPACK, R-PQFP-F10
Moisture Sensitivity Levels

1
Number of Elements

2
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLATPACK
Transition Frequency-Nom (fT)

140 MHz
JESD-609代码

e3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

哑光锡
端子位置

QUAD
终端形式

FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
Reach合规守则

compliant
引脚数量

10
JESD-30代码

R-PQFP-F10
资历状况

不合格
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS
箱体转运

COLLECTOR
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

NPN和PNP
最大耗散功率(Abs)

3 W
集电极电流-最大值(IC)

4.5 A
最小直流增益（hFE）

100
集电极-发射器电压-最大值

20 V

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技术文档: Diodes Incorporated ZXTDB2M832TC.

数据表 :
DIODS14025-1.pdf

ZXTDB2M832TC拓展信息

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