Diodes Incorporated ZXTN04120HFFTA

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-3 Flat Leads

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Collector-Emitter Saturation Voltage

900mV

Power Dissipation (Max)

1.5W

Number of Elements

1

hFEMin

3000

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZXTN04120H

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1.5W

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

120V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

3000 @ 1A 5V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 5mA, 2A

转换频率

120MHz

最大击穿电压

120V

频率转换

120MHz

集电极基极电压(VCBO)

140V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

高度

1mm

长度

3mm

宽度

1.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅