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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.540475
10
¥8.05705
100
¥7.600993
500
¥7.170744
1000
¥6.764855
Diodes Incorporated ZXTN19020DFFTA
- 收藏
- 对比
ZXTN19020DFFTA
671-ZXTN19020DFFTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-23-3 Flat Leads
大陆
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TRANS NPN 20V 6.5A SOT23F-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXTN19020DFFTA详情
Diodes Incorporated ZXTN19020DFFTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
包装/外壳
SOT-23-3 Flat Leads
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
300
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
160MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage
190mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
160MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZXTN19020D
元素配置
Single
功率耗散
2W
功率 - 最大
1.5W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
6.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
190mV @ 180mA, 6.5A
转换频率
160MHz
最大击穿电压
20V
集电极基极电压(VCBO)
70V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
宽度
1.7mm
长度
3mm
高度
1mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTN19020DFFTA拓展信息
Diodes Incorporated
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