Diodes Incorporated ZXTN25100DFHTA

工厂交货时间

11 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

330mV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

1.81W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

175MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZXTN25100D

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

1.81W

功率 - 最大

1.25W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

175MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

2.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 10mA 2V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

330mV @ 250mA, 2.5A

转换频率

175MHz

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

180V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

高度

1mm

长度

3.05mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅