Diodes Incorporated ZXTNS618MCTA

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-WDFN Exposed Pad

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

8mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

140MHz

Power Dissipation (Max)

3W

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

140MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZXTNS618MC

极性

NPN

元素配置

Dual

功率耗散

2.45W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN + Diode (Isolated)

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

4.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2A 2V

最大集极截止电流

25nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

270mV @ 125mA, 4.5A

转换频率

140MHz

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

连续集电极电流

4.5A

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant