Diodes Incorporated ZXTP2012GTA

工厂交货时间

15 Weeks

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

4

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-195mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

120MHz

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W

已出版

2006

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-60V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-5.5A

频率

120MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZXTP2012

元素配置

Single

功率耗散

3W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

5.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 2A 1V

最大集极截止电流

20nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 500mA, 5A

转换频率

120MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

连续集电极电流

-5.5A

高度

1.65mm

宽度

3.7mm

长度

6.7mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅