Diodes Incorporated ZXTP2012ZTA

工厂交货时间

15 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

4

质量

51.993025mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-160mV

Current-Collector (Ic) (Max)

4.3A

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

2.1W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-4.3A

频率

120MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

ZXTP2012

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-F3

电压

60V

元素配置

Single

电流

4A

功率耗散

1.5W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

120MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-60V

最大集电极电流

-4.3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 2A 1V

最大集极截止电流

20nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

215mV @ 500mA, 5A

转换频率

120MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

-100V

发射极基极电压 (VEBO)

-7V

最大结点温度（Tj）

150°C

连续集电极电流

-4.3A

高度

1.6mm

长度

4.6mm

宽度

2.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅