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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.329576
10
¥3.141109
100
¥2.963314
500
¥2.795576
1000
¥2.637335
Diodes Incorporated ZXTP4003ZTA
- 收藏
- 对比
ZXTP4003ZTA
671-ZXTP4003ZTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
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Trans GP BJT PNP 100V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXTP4003ZTA详情
Diodes Incorporated ZXTP4003ZTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
4
质量
130.492855mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Power Dissipation (Max)
1.5W
Number of Elements
1
hFEMin
60
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZXTP4003
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-F3
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1.5W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
100V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 200mV
最大集极截止电流
50nA ICBO
最大击穿电压
100V
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
高度
1.6mm
长度
4.6mm
宽度
2.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
ZXTP4003ZTA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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