Diotec Semiconductor AG DI012N60D1
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DI012N60D1
672-DI012N60D1
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor,
1最小包装量--
DI012N60D1详情
Diotec Semiconductor AG DI012N60D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Package Description
,
Date Of Intro
2020-03-11
Drain Current-Max (ID)
12 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
0.36 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
33 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
265 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
89 W
反馈上限-最大值 (Crss)
3 pF
DI012N60D1拓展信息















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