Diotec Semiconductor AG DI036N20PQ
- 收藏
- 对比
DI036N20PQ
672-DI036N20PQ
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor,
1最小包装量--
DI036N20PQ详情
Diotec Semiconductor AG DI036N20PQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Package Description
,
Date Of Intro
2020-03-20
Drain Current-Max (ID)
36 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
附加功能
雪崩 额定
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-F8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.04 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
145 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
200 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
反馈上限-最大值 (Crss)
140 pF
DI036N20PQ拓展信息
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG







哦! 它是空的。