Diotec Semiconductor AG DI045N03PT
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DI045N03PT
672-DI045N03PT
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, QFN-8
1最小包装量--
DI045N03PT详情
Diotec Semiconductor AG DI045N03PT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Package Description
QFN-8
Drain Current-Max (ID)
45 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-F8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0044 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
280 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
55 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
16 W
反馈上限-最大值 (Crss)
230 pF
DI045N03PT拓展信息















哦! 它是空的。