Diotec Semiconductor AG DI100N10PQ
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DI100N10PQ
672-DI100N10PQ
晶体管 - 特殊用途
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Power Field-Effect Transistor,
1最小包装量--
DI100N10PQ详情
Diotec Semiconductor AG DI100N10PQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Style
小概要
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
175 °C
Number of Elements
1
Moisture Sensitivity Levels
1
Drain Current-Max (ID)
100 A
Date Of Intro
2020-03-04
Package Description
DFN5060, TDSON-8
Ihs Manufacturer
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Part Life Cycle Code
活跃
Rohs Code
有
JESD-609代码
e2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5)
附加功能
雪崩 额定
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-F8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0045 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
270 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
250 W
反馈上限-最大值 (Crss)
70 pF
DI100N10PQ拓展信息
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
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