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技术文档
型号
EPC2101ENGRT
品牌
EPC
utmel 编号
791-EPC2101ENGRT
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装
Die
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
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EPC2101ENGRT详情
技术参数
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EPC EPC2101ENGRT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
22 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
供应商器件包装
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.5A 38A
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
eGaN®
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.5mOhm @ 20A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 2mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
300pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.7nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
60V
场效应管特性
GaNFET (Gallium Nitride)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
技术文档: EPC EPC2101ENGRT.
EPC2101ENGRT拓展信息
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