FMC6G10US60
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Fairchild Semiconductor FMC6G10US60

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型号

FMC6G10US60

utmel 编号

836-FMC6G10US60

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 21PM-AA, 21 PIN

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FMC6G10US60
FMC6G10US60 Fairchild Semiconductor Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 21PM-AA, 21 PIN

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FMC6G10US60详情

Fairchild Semiconductor FMC6G10US60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    21

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    49 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    284 ns

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    FMC6G10US60

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • Number of Elements

    6

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.84

  • 附加功能

    低导通损耗

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    21

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X21

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THREE PHASE DIODE BRIDGE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    MOTOR CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    36 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    10 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.8 V

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FMC6G10US60拓展信息

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