Fairchild Semiconductor J212
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J212
836-J212
晶体管 - JFET
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大陆
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92,
--最小包装量--
J212详情
Fairchild Semiconductor J212重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
质量
200.998119 mg
Voltage, Rating
25 V
Voltage Rating (DC)
25 V
RoHS
Compliant
包装
Bulk
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
350 mW
额定电流
40 mA
元素配置
Single
功率耗散
350 mW
漏源电压 (Vdss)
1.5 V
连续放电电流(ID)
40 mA
栅极至源极电压(Vgs)
-25 V
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
长度
5.2 mm
无铅
无铅
J212拓展信息







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