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首页 分立半导体产品 晶体管 - JFET J212
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Fairchild Semiconductor J212

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型号

J212

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-J212

商品类别

晶体管 - JFET

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92,

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J212 Fairchild Semiconductor RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92,

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J212详情

技术参数

Fairchild Semiconductor J212重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    通孔

  • 引脚数

    3

  • 质量

    200.998119 mg

  • Voltage, Rating

    25 V

  • Voltage Rating (DC)

    25 V

  • RoHS

    Compliant

  • 包装

    Bulk

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    350 mW

  • 额定电流

    40 mA

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    350 mW

  • 漏源电压 (Vdss)

    1.5 V

  • 连续放电电流(ID)

    40 mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    -25 V

  • 宽度

    4.19 mm

  • 高度

    5.33 mm

  • 长度

    5.2 mm

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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