Fairchild Semiconductor MPSH10_D75Z

底架

通孔

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25 V

hFEMin

60

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

350 mW

频率

650 MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

350 mW

增益带宽积

650 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

25 V

最大集电极电流

50 mA

最高频率

650 MHz

转换频率

650 MHz

集电极基极电压(VCBO)

30 V

发射极基极电压 (VEBO)

3 V

连续集电极电流

50 mA

辐射硬化

无