2SK3606-01
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Fujitsu 2SK3606-01

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型号

2SK3606-01

品牌

Fujitsu

utmel 编号

922-2SK3606-01

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 131 Milliohms, ID /-18A, TO-220AB, PD 105W

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2SK3606-01 Fujitsu MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 131 Milliohms, ID /-18A, TO-220AB, PD 105W

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2SK3606-01详情

Fujitsu 2SK3606-01重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    2SK3606-01

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    FUJI ELECTRIC CO LTD

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Risk Rank

    5.76

  • Drain Current-Max (ID)

    13 A

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.17 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    52 A

  • DS 击穿电压-最小值

    200 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    175 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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