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FUJITSU Semiconductor Limited FLL200IB-2

Name: FLL200IB-2
Brand: FUJITSU Semiconductor Limited
SKU: 922-FLL200IB-2
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FLL200IB-2

品牌

FUJITSU Semiconductor Limited

utmel 编号

922-FLL200IB-2

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

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FLL200IB-2 FUJITSU Semiconductor Limited RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

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FLL200IB-2详情

技术参数

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FUJITSU Semiconductor Limited FLL200IB-2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

砷化镓
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA INC
Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Manufacturer Package Code

CASE IB
Drain Current-Max (ID)

6 A
Number of Elements

1
Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
ECCN 代码

EAR99
附加功能

HIGH RELIABILITY
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
Reach合规守则

unknown
引脚数量

3
JESD-30代码

R-CDFM-F2
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

DEPLETION MODE
箱体转运

SOURCE
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值

15 V
场效应管技术

JUNCTION
最高频段

L带

0个相似型号

技术文档: FUJITSU Semiconductor Limited FLL200IB-2.

数据表 :
d0c51d0b3943e8fe2b35e9a792ecdc6c.pdf

FLL200IB-2拓展信息

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