Galaxy Microelectronics BZV55-B10

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

外壳材料

1

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

diode/transistor

Max. off-state voltage

650V

Collector current

300A

Case

SEMITRANS3

Electrical mounting

FASTON connectors,

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

900A

Mechanical mounting

screw

Gross weight

325 g

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD

Package Description

MELF-2

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Reference Voltage-Nom

10 V

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

END

终端形式

环绕

Reach合规守则

unknown

参考标准

MIL-STD-202

JESD-30代码

O-LELF-R2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

拓扑

boost chopper

最大电压允差

2%

工作测试电流

5 mA

反向电流-最大值

0.2 μA

动态阻抗-最大值

20 Ω

反向测试电压

7 V

输出范围

0.5 W

第二个连接器加载的位置数

for UPS,

电压温度系数

8 mV/°C

膝阻抗-最大

150 Ω