Galaxy Microelectronics ESDA25L
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ESDA25L详情
Galaxy Microelectronics ESDA25L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
外壳材料
2
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
Package Description
SOT-23, 3 PIN
Breakdown Voltage-Nom
27.5 V
Forward Voltage-Max (VF)
1.2 V
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管类型
跨压抑制二极管
Rep Pk反向电压-最大值
24 V
最大非代表峰值转速功率Dis
300 W
反向电流-最大值
1 μA
击穿电压-最小值
25 V
反向测试电压
24 V
击穿电压-最大值
30 V
二极管电容-最小值
50 pF
ESDA25L拓展信息
Galaxy Microelectronics
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