Galaxy Microelectronics BZV55-C4V7
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BZV55-C4V7详情
Galaxy Microelectronics BZV55-C4V7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
Package Description
MELF-2
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
GLASS
Package Shape
ROUND
Package Style
长式
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Reference Voltage-Nom
4.7 V
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
END
终端形式
环绕
Reach合规守则
unknown
参考标准
MIL-STD-202
JESD-30代码
O-LELF-R2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
最大电压允差
5%
工作测试电流
5 mA
反向电流-最大值
3 μA
动态阻抗-最大值
80 Ω
反向测试电压
2 V
电压温度系数
0.2 mV/°C
膝阻抗-最大
500 Ω
BZV55-C4V7拓展信息
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Galaxy Microelectronics








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