Galaxy Microelectronics RD75P

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Power Dissipation (Max)

1 W

Reference Voltage-Nom

75 V

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

参考标准

MIL-STD-202

JESD-30代码

R-PSSO-F3

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

最大电压允差

6.04%

工作测试电流

2 mA

反向电流-最大值

0.05 μA

动态阻抗-最大值

255 Ω

反向测试电压

52.5 V

电压温度系数

12 mV/°C

膝阻抗-最大

500 Ω