GeneSiC Semiconductor MBR300100CTR
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MBR300100CTR
962-MBR300100CTR
二极管 - 整流器 - 阵列
Twin Tower
大陆
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Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 300A100P/70R
1最小包装量--
MBR300100CTR详情
GeneSiC Semiconductor MBR300100CTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
PRODUCTION (Last Updated: 6 months ago)
工厂交货时间
6 Weeks
包装/外壳
双塔
安装类型
底座安装
底架
底座安装
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
包装
Bulk
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-40°C
应用
POWER
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PUFM-X2
元素配置
共阳极
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
8mA @ 20V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
840mV @ 150A
正向电流
300A
最大反向漏电电流
1μA
最大浪涌电流
2.5kA
输出电流-最大值
150A
平均整流电流(Io)
300A DC
最大反向电压(DC)
100V
平均整流电流
300A
相位的数量
1
峰值反向电流
1A
最大重复反向电压(Vrrm)
100V
二极管配置
1 Pair Common Anode
RoHS状态
符合RoHS标准
MBR300100CTR拓展信息
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
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GeneSiC Semiconductor
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