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'mbr120200ct'

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category.整流二极管阵列 (2)

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对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

二极管元件材料

包装

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

应用

HTS代码

端子位置

终端形式

JESD-30代码

元素配置

速度

二极管类型

反向泄漏电流@ Vr

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

工作温度 - 结点

最大反向电压（DC）

平均整流电流

相位的数量

最大非代表Pk前进电流

二极管配置

反向电流-最大值

RoHS状态

MBR120200CT

GeneSiC Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

6 Weeks

PRODUCTION (Last Updated: 5 months ago)

底座安装

底座安装

双塔

SILICON

2

150°C

Bulk

yes

活跃

1 (Unlimited)

2

EAR99

POWER

8541.10.00.80

UPPER

UNSPECIFIED

R-PUFM-X2

共阴极

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Schottky

1mA @ 200V

920mV @ 60A

-55°C~150°C

200V

60A

1

800A

1 Pair Common Cathode

1000μA

符合RoHS标准

MBR120200CTR

GeneSiC Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

6 Weeks

PRODUCTION (Last Updated: 5 months ago)

底座安装

底座安装

双塔

SILICON

2

150°C

Bulk

yes

活跃

1 (Unlimited)

2

POWER

UPPER

UNSPECIFIED

R-PUFM-X2

共阳极

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Schottky

1mA @ 200V

920mV @ 60A

-55°C~150°C

200V

60A

1

800A

1 Pair Common Anode

1000μA

符合RoHS标准