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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥848.171878
10
¥800.16215
100
¥754.869949
500
¥712.14146
1000
¥671.831566
GeneSiC Semiconductor MSRTA20060D
- 收藏
- 对比
MSRTA20060D
962-MSRTA20060D
二极管 - 整流器 - 阵列
Module
大陆
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600V 200A THREE TOWER ISO SILICO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MSRTA20060D详情
GeneSiC Semiconductor MSRTA20060D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
Module
触点形状
Square
供应商器件包装
-
Voltage, Rating
--
Mated Stacking Heights
--
Contact Materials
Copper Alloy
Contact Finish Mating
Gold
Insulation Materials
Thermoplastic
Contact Length-Mating
0.320 (8.13mm)
Package
Bulk
Base Product Number
MSRTA200
厂商
GeneSiC Semiconductor
Product Status
活跃
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
200A
Vr - Reverse Voltage
600 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
24
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
GeneSiC Semiconductor
Brand
GeneSiC Semiconductor
If - Forward Current
200 A
RoHS
Details
Ifsm - Forward Surge Current
3000 A
操作温度
-55°C ~ 105°C
系列
AMPMODU Mod II
包装
Tray
零件状态
活跃
终端
Press-Fit, Solder
连接器类型
Header
类型
Standard Recovery Rectifier Module
定位的数量
50
应用
--
行数
2
紧固类型
棘爪锁
子类别
Discrete Semiconductor Modules
触点类型
公母针
技术
Standard
入口保护
--
绝缘高度
0.440 (11.18mm)
样式
板对板或电缆
已加载定位数量
All
额定电流
3A
间距 - 配套
0.100 (2.54mm)
绝缘颜色
Black
行间距-交配
0.100 (2.54mm)
触点长度 - 柱子
0.250 (6.35mm)
护罩,护罩
Shrouded - 4 Wall
触点表面处理 - 柱子
Tin-Lead
接触总长度
0.660 (16.76mm)
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 600 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 A
工作温度 - 结点
-55°C ~ 150°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
600 V
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
二极管配置
1 Pair Series Connection
产品
Rectifier Modules
特征
--
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
触点表面处理厚度 - 配套
30.0µin (0.76µm)
触点表面处理厚度 - 柱子
100.0µin (2.54µm)
材料可燃性等级
UL94 V-0
MSRTA20060D拓展信息
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor






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