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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥550.25572
10
¥519.109174
100
¥489.725635
500
¥462.005318
1000
¥435.85407
GeneSiC Semiconductor MURT10060
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- 对比
MURT10060
962-MURT10060
二极管 - 整流器 - 阵列
Three Tower
大陆
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Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MURT10060详情
GeneSiC Semiconductor MURT10060重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
PRODUCTION (Last Updated: 5 months ago)
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
三塔
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Bulk
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电阻
424Ohm
应用
超快恢复
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
JESD-30代码
R-PUFM-X3
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
25μA @ 50V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7V @ 100A
箱体转运
ISOLATED
工作温度 - 结点
-40°C~175°C
最大浪涌电流
400A
输出电流-最大值
50A
平均整流电流(Io)
100A DC
相位的数量
1
反向恢复时间
75ns
峰值反向电流
25μA
最大非代表Pk前进电流
1500A
反向电压
600V
RoHS状态
符合RoHS标准
MURT10060拓展信息
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
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