GOFORD G1K8P06S2

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

SOT-23-3

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

200 mA

厂商

Fairchild Semiconductor

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

配置

2 P-Channel

功率 - 最大

225 mW

Rds On(Max)@Id,Vgs

170mOhm @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

594pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.3nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 10mA, 300mV

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

12 V

频率转换

500MHz

场效应管特性

Standard