G20N06D52
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GOFORD G20N06D52

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型号

G20N06D52

品牌

GOFORD

utmel 编号

983-G20N06D52

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

60V 20A 45W 24mΩ@10V,20A 1.7V@250uA 92pF@30V 2 N-Channel 1220pF@30V 25nC@10V -55℃~ 175℃@(Tj) DFN5x6-8L MOSFETs ROHS

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G20N06D52 GOFORD 60V 20A 45W 24mΩ@10V,20A 1.7V@250uA 92pF@30V 2 N-Channel 1220pF@30V 25nC@10V -55℃~ 175℃@(Tj) DFN5x6-8L MOSFETs ROHS

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G20N06D52详情

GOFORD G20N06D52重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 供应商器件包装

    8-DFN (4.9x5.75)

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    20A (Ta)

  • 厂商

    Goford Semiconductor

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 功率 - 最大

    45W (Ta)

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    30mOhm @ 20A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1220pF @ 30V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    25nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 场效应管特性

    Standard

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