注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
G60N10K
品牌
GOFORD
utmel 编号
983-G60N10K
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
G60N10K详情
技术参数
GOFORD G60N10K重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
供应商器件包装
TO-252
Package
Bulk
厂商
欧姆龙自动化与安全
Product Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
56W (Tc)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
系列
*
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25mOhm @ 20A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4118 pF @ 50 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
111 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
90 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
G60N10K拓展信息
热销零件
相关分类
热门搜索
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:G3401A
封装:--
品牌:GOFORD
库存:0
型号:G9N40F
型号:11N10
型号:G17
型号:G1002
型号:G3404
购物车 (0件产品)