G700P06H
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GOFORD G700P06H

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型号

G700P06H

品牌

GOFORD

utmel 编号

983-G700P06H

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

0505 (1313 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

P-60V,-5A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-1

起订量

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G700P06H
G700P06H GOFORD P-60V,-5A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-1

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G700P06H详情

GOFORD G700P06H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    0505 (1313 Metric)

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    0505

  • Package

    Tray

  • Base Product Number

    M55342

  • 厂商

    Vishay Dale 薄膜

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    5A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • Power Dissipation (Max)

    3.1W (Tc)

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    2.5V @ 250µA

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C

  • 系列

    Military, MIL-PRF-55342, RM0505

  • 尺寸/尺寸

    0.055 L x 0.050 W (1.40mm x 1.27mm)

  • 容差

    ±0.1%

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±25ppm/°C

  • 电阻

    2.29 kOhms

  • 组成

    Thin Film

  • 功率(瓦特)

    0.125W, 1/8W

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 失败率

    R (0.01%)

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    75mOhm @ 6A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1459 pF @ 30 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    15.8 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

  • 特征

    Military, Non-Inductive

  • 座位高度(最大)

    0.033 (0.84mm)

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G700P06H拓展信息

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