GOFORD GC20N65F

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-220F

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

34W (Tc)

厂商

Goford Semiconductor

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A (Tc)

Package

Tube

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

170mOhm @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1724 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

-