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技术文档
型号
GT019N04D5
品牌
GOFORD
utmel 编号
983-GT019N04D5
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
20-VFQFN Exposed Pad
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
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GT019N04D5详情
技术参数
GOFORD GT019N04D5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
供应商器件包装
20-QFN (5x3.2)
Package
Tube
Base Product Number
DSC400
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Frequency-Max
176.875MHz
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
120W (Tc)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
操作温度
-20°C ~ 70°C
系列
类型
时钟发生器
技术
MOSFET (Metal Oxide)
电压 - 供电
2.25V ~ 3.6V
输出量
HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
电路数量
2
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.8mOhm @ 10A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2840 pF @ 20 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
95 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
40 V
Vgs(最大值)
±20V
输入
Clock
比率-输入:输出
2:4
锁相环
有
差分 - 输入:输出
No/Yes
除法器/乘法器
Yes/No
场效应管特性
-
GT019N04D5拓展信息
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型号:G9N40F
封装:--
品牌:GOFORD
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