GT700P08D3详情
GOFORD GT700P08D3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件包装
8-DFN (3x3)
Package
Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Goford Semiconductor
Power Dissipation (Max)
69W (Tc)
Product Status
活跃
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
75mOhm @ 2A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1591 pF @ 40 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
75 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
80 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
GT700P08D3拓展信息









哦! 它是空的。