GT700P08D3
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GOFORD GT700P08D3

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型号

GT700P08D3

品牌

GOFORD

utmel 编号

983-GT700P08D3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerVDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-

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GT700P08D3 GOFORD P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-

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GT700P08D3详情

GOFORD GT700P08D3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 供应商器件包装

    8-DFN (3x3)

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    16A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    Goford Semiconductor

  • Power Dissipation (Max)

    69W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    3.5V @ 250µA

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    75mOhm @ 2A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1591 pF @ 40 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    75 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    80 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

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GT700P08D3拓展信息

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